这些逻辑电平N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。

• 48A，60V。 RDS(ON) = 0.025Ω@ VGS=5V。
• 低驱动要求使得能够直接从逻辑驱动器进行操作。 VGS(TH)< 2.0V。
• 在高温下额定的临界DC电气参数。
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 175°C最大结温额定值。
• 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
• TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NDB6060L	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.67

• 2N7002K - N沟道增强模型场效应晶体管
• SMCJ6V5A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• FOD2741A - 8引脚DIP误差放大器光电耦合器
• FAN2356AMPX - 6 A 同步降压调节器
• S3K - 3.0A通用整流器
• FQPF6N80T - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 3.3A, 1.95Ω
• FDD20AN06_F085 - 60 V、45 A、20 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench
• BAS16HT1G - 小信号二极管
• S2B - 通用整流器（玻璃钝化）
• KST4403 - PNP外延硅晶体管