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Fairchild产品 - NDB6060L介绍

NDB6060L - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

NDB6060L是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，NDB6060L是N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDB6060L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDB6060L相关的Fairchild元器件型号供参考。

NDB6060L - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - 仙童半导体

NDB6060L - 产品描述

这些逻辑电平N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。

NDB6060L - 产品特性
  • 48A，60V。 RDS(ON) = 0.025Ω@ VGS=5V。
  • 低驱动要求使得能够直接从逻辑驱动器进行操作。 VGS(TH)< 2.0V。
  • 在高温下额定的临界DC电气参数。
  • 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
  • 175°C最大结温额定值。
  • 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
  • TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • NDB6060L - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了NDB6060L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    NDB6060L量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.67
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