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Fairchild产品 - NDS0605介绍

NDS0605 - P沟道增强模式场效应晶体管

NDS0605是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，NDS0605是P沟道增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDS0605的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDS0605相关的Fairchild元器件型号供参考。

NDS0605 - P沟道增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - 仙童半导体

NDS0605 - 产品描述

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。NDS0605在需要高达0.18A直流电的大多数应用中可轻松使用，并且可提供高达1A的脉冲电流。该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。

NDS0605 - 产品特性
  • -0.18 A, -60 V. RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= -10 V.
  • 电压控制的P沟道小信号开关。
  • 高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)。
  • 高饱和电流。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • NDS0605 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了NDS0605相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    NDS0605量产-ROHS：截至2013年1月$0.0679
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