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Fairchild产品 - NDS332P介绍

NDS332P - P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

NDS332P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，NDS332P是P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDS332P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDS332P相关的Fairchild元器件型号供参考。

NDS332P - P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - 仙童半导体

NDS332P - 产品描述

这些P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。这些器件特别适合笔记本电脑电源管理、便携电子产品及其他电池供电电路等低电压应用，此类应用需要在很小尺寸的表面贴装封装中实现快速高端开关和低线内功率损耗。

NDS332P - 产品特性
  • -1 A, -20 V, RDS(ON) = 0.41Ω @ VGS= -2.7 V, RDS(ON) = 0.3 Ω @ VGS = -4.5 V.
  • 栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.0V。
  • 专有封装设计使用铜引线框架，可提供出色的热和电气能力。
  • 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
  • 出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。
  • 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • NDS332P - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了NDS332P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    NDS332P量产-ROHS：截至2011年12月$0.334
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