这些N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMICA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。

• 1.6 A，30 V。 RDS(ON) = 0.125Ω @ VGS= 4.5 V。
• 专有封装设计使用铜引线框架，可提供出色的热和电气能力。
• 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
• 出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。
• 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NDS355N	量产-ROHS：截至2011年12月	$0.3262

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• FQP11P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60 V、-11.4 A、175 mΩ
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• P6KE47A - 600W瞬态电压抑制二极管
• FAN7383 - 625 V、0.65/0.35 A 灌电流/源电流、具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动
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• HUF75639S_F085A - 100 V、56 A、21 mΩ、D2PAKN 沟道 UltraFET Trench
• P6KE33A - 600W瞬态电压抑制二极管