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NDS355N - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
NDS355N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，NDS355N是N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDS355N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDS355N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
NDS355N - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
NDS355N - 产品描述
这些N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMICA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。
NDS355N - 产品特性
- 1.6 A，30 V。 RDS(ON) = 0.125Ω @ VGS= 4.5 V。
- 专有封装设计使用铜引线框架，可提供出色的热和电气能力。
- 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
- 出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。
- 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。
NDS355N - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了NDS355N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| NDS355N | 量产-ROHS：截至2011年12月 | $0.3262 |
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