SuperSOT-3P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产而成。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。这些器件特别适合笔记本电脑电源管理、便携电子产品及其他电池供电电路等低电压应用，此类应用需要在很小尺寸的表面贴装封装中实现快速高侧开关和低线内功率损耗。

• -1.1 A, -30 V
  • RDS(ON) = 0.3 W Ω VGS=-4.5 V
  • RDS(ON) = 0.2 W Ω VGS=-10 V
• 工业标准外形SOT-23表面贴装封装采用专有的SuperSOT-3设计，具有优异的热性能和电气性能。
• 高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)。
• 出色的导通电阻和最大的DC电流能力。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NDS356AP	量产-ROHS：截至2011年12月	$0.609

• FQP7N80C - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 6.6A, 1.9Ω
• NC7WBD3125 - 支持电平转换的2位低功耗总线开关
• FDPF8N60ZUT - N 沟道 UniFET Ultra FRFET MOSFET 600V, 6.5A, 1.35Ω
• KA431SA - 可调式/2.5V、1%容差分流稳压器
• BZX84C5V1 - 5.1V、0.35W齐纳二极管
• FQD12N20L - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ
• SG6846B - 用于 65 KHz 反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器，提供 2-级过流保护
• FSA9285A - 符合 MCPC 标准、USB 端口、带自动检测多媒体开关、12 V V_BUS
• GBPC1204 - 12 A 桥式整流器
• MJD31C - NPN 外延硅晶体管