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NDS9945 - 双N沟道增强模式场效应晶体管
NDS9945是Fairchild公司的一款MOSFET产品，NDS9945是双N沟道增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDS9945的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDS9945相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
NDS9945 - 双N沟道增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
NDS9945 - 产品描述
SO-8N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为提供卓越开关性能和最大限度地降低通态电阻而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的磁碟驱动器电机控制、电池供电电路等低电压应用。
NDS9945 - 产品特性
- 3.5 A，60 V。 RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V，RDS(ON) = 0.200 Ω @ VGS = 4.5 V。
- 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
- 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力。
- 采用表面贴装封装的双MOSFET。
NDS9945 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了NDS9945相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| NDS9945 | 量产-ROHS：截至2014年10月 | $0.6525 |
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