功率SOTN沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。这些器件特别适用于笔记本电脑功率管理和DC电机控制等低电压应用。

• -5A，-30V。 RDS(ON) = 0.065 RDS(ON) = 0.3 Ω @ VGS = -10VRDS(ON) = 0.1 RDS(ON) = 0.3 Ω @ VGS = -4.5V
• 高密度设计可实现极低的RDS(ON)。
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NDT452AP	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.03

• FSFR1800HS - 用于 260 W 半桥式谐振转换器的先进集成电源开关 (FPS)
• BZX85C20 - 20V、1W齐纳二极管
• FAN6757 - 用于 65 KHz 反激式转换器，X-电容放电的 mWSaver PWM 控制器
• FQPF7P20 - P 沟道 QFET MOSFET -200 V、-5.2 A、690 mΩ
• FODM3022_NF098 - 400V随机相位双向可控硅驱动器10mA
• FDA20N50F - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 500V，22A，260mΩ
• RGP10B - 1.0A快速恢复整流器
• FDD16AN08_F085 - 75 V、50 A、13 mΩ、Dual DPAKN 沟道 UltraFET Trench
• FDS4935BZ - -30V双P沟道PowerTrench MOSFET
• RHRP860_F085 - 600 V、8 A、2.1 V、TO-247（2 引脚）超高速二极管