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    Fairchild产品 - PCHG2N120W介绍
    PCHG2N120W - 1200 V NPT IGBT

    PCHG2N120W是Fairchild公司的一款分立式 IGBT产品，PCHG2N120W是1200 V NPT IGBT，本站介绍了PCHG2N120W的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PCHG2N120W相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    PCHG2N120W - 1200 V NPT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - Fairchild（仙童半导体）

    PCHG2N120W - 产品描述
    本产品只可在芯片/晶圆中使用。

    PCHG2N120W是非穿通(NPT)IGBT设计。它们是MOS门控高压开关IGBT系列的新成员。IGBT充分融合了MOSFET和双极性晶体管的最佳功能。该器件具有MOSFET的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。

    PCHG2N120W - 产品特性
    • 高电流能力
    • 低饱和电压： V CE(sat) = 2.05 V，需 IC= 2.6 A（典型值）
    • 高输入阻抗
    • 低导通损耗
    • 1200 V 开关 SOA 特性
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • PCHG2N120W - 产品应用

    • 其他工业

    以下列出了PCHG2N120W相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    PCHG2N120W量产（特殊订单）-ROHS不适用
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