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Fairchild产品 - SSN1N45B介绍

SSN1N45B - 450V N沟道B-FET

SSN1N45B是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，SSN1N45B是450V N沟道B-FET，本站介绍了SSN1N45B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与SSN1N45B相关的Fairchild元器件型号供参考。

SSN1N45B - 450V N沟道B-FET - MOSFET - FET - 仙童半导体

SSN1N45B - 产品描述

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件非常适合半桥配置的电子整流器。

SSN1N45B - 产品特性
  • 0.5A，450V，RDS(on) = 4.25Ω @VGS = 10 V
  • 低栅极电荷（典型值6.5nC）
  • 低Crss（典型值6.5 pF）
  • 100%经过雪崩测试
  • 可提高dv/dt处理能力
  • 栅极-源电压 ±；50V保证
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • SSN1N45B - 产品应用

    • 照明

    以下列出了SSN1N45B相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    SSN1N45BTA量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.2571
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