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Fairchild产品 - SSU1N50B介绍

SSU1N50B - 520 V N 沟道 MOSFET

SSU1N50B是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，SSU1N50B是520 V N 沟道 MOSFET，本站介绍了SSU1N50B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与SSU1N50B相关的Fairchild元器件型号供参考。

SSU1N50B - 520 V N 沟道 MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

SSU1N50B - 产品描述
不推荐新设计使用截至2013年12月13日

这些N沟道增强型功率场效应晶体管是采用飞兆专有的、平面条形DMOS技术生产的。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效的开关模式电源、功率因数校正和半桥电子灯整流器。

SSU1N50B - 产品特性
  • 1.3 A、520 V、RDS(on) = 5.3 Ω，需 VGS = 10 V
  • 低栅极电荷（典型值 8.3 nC)
  • 低 Crss（典型值 5.5 pF)
  • 快速开关
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • SSU1N50B - 产品应用
    以下列出了SSU1N50B相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    SSU1N50BTU不推荐新设计使用截至2013年12月13日符合RoHS标准截至2006年2月27日FQU2N50BTU_WS
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