SSU1N50B - 520 V N 沟道 MOSFET

这些N沟道增强型功率场效应晶体管是采用飞兆专有的、平面条形DMOS技术生产的。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效的开关模式电源、功率因数校正和半桥电子灯整流器。

• 1.3 A、520 V、RDS(on) = 5.3 Ω，需 VGS = 10 V
• 低栅极电荷（典型值 8.3 nC)
• 低 Crss（典型值 5.5 pF)
• 快速开关
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能

• HUF75345P3 - N 沟道 UltraFET Power MOSFET 55V，75A，7mΩ
• SMBJ7V0A - 600W瞬态电压抑制二极管
• FQPF7N60 - N 沟道 QFET MOSFET 250V，4.4A，1Ω
• NC7SV14 - 带施密特触发器输入的TinyLogic ULP-A反相器
• FIN1048 - 3.3V LVDS 4位流通式高速差分接收器
• FDP047N08 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 75V，164A，4.7mΩ
• 1V5KE68CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
• MCT5211M - 6引脚DIP低输入电流光电晶体管输出光电耦合器
• FAN7554 - 最高 500 kHz 的 PWM 控制器可编程频率
• FNB40560B2 - Motion SPM 45 系列