1N5230BTR | Fairchild仙童半导体

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1N5230BTR供应商

产品参考图片

1N5230BTR

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单齐纳二极管，DO-35

技术参数：DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

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参数详情：

制造商产品型号：1N5230BTR

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35

系列：-

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：4.7V

容差：±5%

功率 - 最大值：500mW

阻抗（最大值）(Zzt)：19 欧姆

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：2μA @ 1V

不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.2V @ 200mA

工作温度：-65°C ~ 200°C

安装类型：通孔

产品封装：DO-204AH，DO-35，轴向

供应商器件封装：DO-35

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