
当前位置:Fairchild代理商 >> Fairchild公司(仙童半导体)产品型号 - ESDL4151MX4T5G
ESDL4151MX4T5G供应商
产品参考图片




ESDL4151MX4T5G
- 制造厂商:Fairchild(仙童半导体,已被ONSEMI安森美收购)
- 类别封装:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:2-X3DFN(1x0.6)
- 技术参数:TVS DIODE 15VWM 26VC 2X3DFN
- (专注销售Fairchild电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
ESDL4151MX4T5G参数详情:
- 型号:ESDL4151MX4T5G
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:2-X3DFN(1x0.6)
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 15VWM 26VC 2X3DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:-
- 双向通道:1
- 电压 - 反向断态(典型值):15V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):15.5V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):26V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):47.5A(8/20s)
- 功率 - 峰值脉冲:-
- 电源线路保护:无
- 应用:USB 2.0,USB 3.0
- 不同频率时电容:0.8pF @ 1MHz
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:0402(1006 公制)
- 供应商器件封装:2-X3DFN(1x0.6)
- ESDL4151MX4T5G的官网价格:1:$0.35000|8000:$0.09263,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
点击下图下载技术文档

相关产品型号






- FQP13N06L - N 沟道 QFET MOSFET 60V,13.6A,110mΩ
- FDMA6023PZT - -20V双P沟道PowerTrench MOSFET
- FCPF4300N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET 800 V, 1.6 A, 4.3 Ω
- FGB3245G2_F085 - 450 V、23 A、1.3 V、320 mJ、D2PAKEcoSPARK II、N 沟道点火 IGBT
- 1V5KE6V8CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
- FCH072N60F_F085 - 600 V、52 A、62 mΩ、TO-247N 沟道 SuperFET II


Fairchild公司产品现货专家,订购仙童半导体公司产品不限最低起订量,ONSEMI安森美产品大陆现货即时发货,香港库存3-5天发货,海外库存7-10天发货
寻找全球Fairchild代理商现货货源 - Fairchild公司(ONSEMI安森美)电子元件在线订购


