FDD3510H | Fairchild仙童半导体

Fairchild（仙童半导体）| Fairchild产品型号搜索

FDD3510H供应商

产品参考图片

FDD3510H

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：场效应管阵列，TO-252-4L

技术参数：MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

（专注销售仙童电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）

（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）

参数详情：

制造商产品型号：FDD3510H

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

系列：PowerTrench

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：80V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.3A，2.8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 4.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：800pF @ 40V

功率 - 最大值：1.3W

安装类型：表面贴装

产品封装：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD

供应商器件封装：TO-252-4L

点击下图下载技术文档

相关电子元件

Fairchild公司产品现货专家，订购仙童公司产品不限最低起订量，仙童半导体产品大陆现货即时发货，香港库存3-5天发货，海外库存7-10天发货

寻找全球Fairchild仙童代理商现货货源 - Fairchild公司（仙童半导体）电子元件在线订购