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FDG6308P - 双P沟道1.8V规格PowerTrench MOSFET
FDG6308P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDG6308P是双P沟道1.8V规格PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDG6308P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG6308P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDG6308P - 双P沟道1.8V规格PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDG6308P - 产品描述
此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
FDG6308P - 产品特性
- -0.6 A、-20 V。
- RDS(ON)= 0.40Ω @ VGS = –4.5 V
- RDS(ON) = 0.55Ω @ VGS = –2.5 V
- RDS(ON) = 0.80Ω @ VGS = –1.8 V
- 低栅极电荷
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
- 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装
FDG6308P - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDG6308P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDG6308P | 量产-ROHS：截至2010年12月 | $0.216 |
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