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Fairchild产品 - FQD2N100介绍

FQD2N100 - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、1.6 A、9 Ω

FQD2N100是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQD2N100是N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、1.6 A、9 Ω，本站介绍了FQD2N100的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQD2N100相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQD2N100 - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、1.6 A、9 Ω - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQD2N100 - 产品描述

该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

FQD2N100 - 产品特性
  • 1.6 A、1000 V、RDS(on) = 9 Ω（最大值），需 VGS = 10 V、ID = 0.8 A栅极电荷低（典型值：12nC)
  • 低 Crss（典型值5pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQD2N100 - 产品应用

    • 照明

    以下列出了FQD2N100相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQD2N100TM量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.5284
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