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Fairchild产品 - FQI27N25介绍

FQI27N25 - N 沟道 QFET MOSFET 250V，25.5A，110mΩ

FQI27N25是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQI27N25是N 沟道 QFET MOSFET 250V，25.5A，110mΩ，本站介绍了FQI27N25的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQI27N25相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQI27N25 - N 沟道 QFET MOSFET 250V，25.5A，110mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQI27N25 - 产品描述

该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

FQI27N25 - 产品特性
  • 25.5A, 250V, RDS(on) = 110mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 12.75A栅极电荷低（典型值：50nC)
  • 低 Crss（典型值45pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQI27N25 - 产品应用

    • 其他工业

    以下列出了FQI27N25相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQI27N25TU量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.4
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