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Fairchild产品 - FDC855N介绍

FDC855N - 30V单N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET

FDC855N是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDC855N是30V单N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDC855N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC855N相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDC855N - 30V单N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDC855N - 产品描述

该N沟道逻辑电平MOSFET是低电压和电池电源应用的有效解决方案。由于采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺，该器件具有最低的通态电阻，可以优化功耗。非常适合重视线路内功率损耗的应用。

FDC855N - 产品特性
  • VGS = 10V，ID = 6.1A时，最大RDS(on) = 27mΩ
  • VGS = 4.5V，ID = 5.3A时，最大rDS(on) = 36 mΩ
  • SuperSOT -6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDC855N - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDC855N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDC855N量产-ROHS：截至2008年4月$0.225
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