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Fairchild产品 - FDD6030L介绍

FDD6030L - 30V N沟道逻辑PowerTrench MOSFET

FDD6030L是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDD6030L是30V N沟道逻辑PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD6030L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD6030L相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDD6030L - 30V N沟道逻辑PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDD6030L - 产品描述

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

FDD6030L - 产品特性
  • 12 A, 30V
  • RDS(ON) = 14.5 mΩ @ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 21.0 mΩ @ VGS = 4.5V
  • 低栅极电荷
  • 快速开关速度
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDD6030L - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDD6030L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD6030L量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.392
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