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Fairchild产品 - FDMD8280介绍

FDMD8280 - 80 V 双 N 沟道 Power Trench MOSFET

FDMD8280是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMD8280是80 V 双 N 沟道 Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMD8280的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMD8280相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMD8280 - 80 V 双 N 沟道 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMD8280 - 产品描述

该器件包括两个80VN沟道MOSFET，采用双Power(3.3mmx5mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。

FDMD8280 - 产品特性
  • 最大 rDS(on) = 8.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 11 A 时）
  • 最大 rDS(on) = 11 mΩ（VGS = 8 V、ID = 9.5 A 时）
  • 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
  • 终端无引线且符合 RoHS 标准
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMD8280 - 产品应用
    以下列出了FDMD8280相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMD8280量产-ROHS：截至2014年8月$1.378
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