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FDMD8280技术文档下载：
FDMD8280 - 80 V 双 N 沟道 Power Trench MOSFET
FDMD8280是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMD8280是80 V 双 N 沟道 Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMD8280的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMD8280相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMD8280 - 80 V 双 N 沟道 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMD8280 - 产品描述
该器件包括两个80VN沟道MOSFET，采用双Power(3.3mmx5mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥，低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。
FDMD8280 - 产品特性
- 最大 rDS(on) = 8.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 11 A 时）
- 最大 rDS(on) = 11 mΩ（VGS = 8 V、ID = 9.5 A 时）
- 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
- 终端无引线且符合 RoHS 标准
- 100% 经过 UIL 测试
- 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
FDMD8280 - 产品应用
以下列出了FDMD8280相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMD8280 | 量产-ROHS：截至2014年8月 | $1.378 |
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