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HGT1S2N120CN供应商

产品参考图片

HGT1S2N120CN

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单路IGBT，I2PAK

技术参数：IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

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参数详情：

制造商产品型号：HGT1S2N120CN

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

系列：-

IGBT 类型：NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：13A

Current - Collector Pulsed (Icm)：20A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.4V @ 15V，2.6A

功率 - 最大值：104W

Switching Energy：96μJ （开）， 355μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：30nC

25°C 时 Td（开/关）值：25ns/205ns

Test Condition：960V, 2.6A, 51 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

产品封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

安装类型：通孔

供应商器件封装：I2PAK

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