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Fairchild产品 - FDD8882介绍

FDD8882 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET

FDD8882是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDD8882是30V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDD8882的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD8882相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDD8882 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDD8882 - 产品描述

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷、低rDS(ON)和高速开关进行了优化。

FDD8882 - 产品特性
  • rDS(ON) = 11.5mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 35V
  • rDS(ON) = 15mΩ（典型值），VGS = 4.5V，ID = 35V
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 低栅极电荷
  • 高功率和高电流处理能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDD8882 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDD8882相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD8882量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.444
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