此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

• 22 A、100 V。
• RDS(ON) = 64 mΩ @ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 71 mΩ @ VGS = 6 V
• 低栅极电荷（28nC，典型值）。
• 快速开关。
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
• 高功率和高电流处理能力。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDD3690	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$0.62

• FAN7530 - CrCM PFC 控制器
• FOD8163 - 3.3 V/5 V、10 Mbit/sec，逻辑栅极光电耦合器，采用宽体 SOP 6 引脚
• NC7WP32 - TinyLogic ULP 2 输入或门
• GBU4M - 4 A 桥式整流器
• FCP104N60F - N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET 600 V、37 A、104 mΩ
• FAN23SV65AMPX - 15 A 同步降压调节器
• MMSZ5229B - 4.3V、0.5W齐纳二极管
• FSBB20CH60CL - Motion SPM 3 系列
• 74VHC541 - 八路缓冲器/线路驱动器（带3态输出）
• MMSZ5248B - 18V、0.5W齐纳二极管