FSA2275是高性能、双刀双掷(DPDT)模拟开关，可提供负摆幅音频能力。FSA2275在2.5VVCC时，具有0.5Ω（典型值）的超低音频RON。FSA2275在2.5V至5.5V的VCC电压范围内运行，采用亚微米CMOS技术制成，实现较快的开关速度，专为先开后合运行而设计。为了最大程度地减少运行时的噗声和滴答声，可通过外部电容器(C_EXT)实现导通斜坡时间的可选性。FSA2275具有THD+N规格要求，旨在同时向32Ω耳机和线路输出型负载(>600Ω)提供高保真音频质量。

• VDD工作范围： 2.5 至 5.5 V
• 用于抑制噗声和滴答声噪音的外部电容器连接
• 为通用端口提供断电保护
• RON = 0.5 Ω （典型值）（2.5 V VDD
时）
• THD+N = -105 dB；2 VRMS、20 kΩ 负载；f = 1 kHz
• XTALK = -134 dB（1 VRMS、50 Ω 负载；f = 1 kHz
）
• 关断隔离度 = -103 dB（1 VRMS、50 Ω 负载；f = 1 kHz
）
• 12 引脚 UMLP 1.8 mm x 1.8 mm

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FSA2275UMX	量产-ROHS：截至2015年1月	$0.92

• FQB8N90CTM - N 沟道 QFET MOSFET
• TIP32 - PNP外延硅晶体管
• FDV302P - 数字FET、P沟道
• FDMF6824B - 超小型、高性能、高频DrMOS模块
• 74AUP1G59 - TinyLogic 低功率通用可配置双输入逻辑门（漏极开路输出）
• BSP52 - NPN达林顿晶体管
• FSQ321 - 包含谷底开关控制的 650 V 集成电源开关，用于 10 W 离线反激式转换器
• MBR1045 - 10A肖特基势垒整流器
• FDMS039N08B - N 沟道 PowerTrench MOSFET 80V, 100A, 3.9mΩ
• FDP12N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 12A, 650mΩ