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    FDMD8900
  • 制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）
  • 类别封装：FET - 阵列，12-PowerWDFN
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V POWER
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号: FDMD8900
  • 制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）
  • 功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V POWER
  • 系列: -
  • FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 19A，17A
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 4 毫欧 @ 19A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 35nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2605pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 2.1W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: 12-PowerWDFN
  • 供应商器件封装: 12-PQFN（3.3x5）
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