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FDMS4435BZ供应商

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FDMS4435BZ

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单端场效应管，8-PQFN

技术参数：MOSFET P-CH 30V 9A POWER56

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参数详情：

制造商产品型号：FDMS4435BZ

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET P-CH 30V 9A POWER56

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Ta），18A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：47nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2050pF @ 15V

功率 - 最大值：2.5W

安装类型：表面贴装

产品封装：8-PowerTDFN

供应商器件封装：8-PQFN（5x6）， Power56

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