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    FQD2N60CTM_WS
  • 制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）
  • 类别封装：单端场效应管，D2PAK
  • 技术参数：MOSFET N-CH 600V 1.9A
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：FQD2N60CTM_WS
  • 制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A
  • 系列：QFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.9A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.7 欧姆 @ 950mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：235pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 产品封装：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：D2PAK
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