FNB51560TD1是一款MotionSPM55模块，为交流感应、BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变输出级。这些模块集成了内置IGBT经过优化的栅极驱动，能够最小化EMI和损耗，同时提供多种模块上保护功能，包括欠压闭锁、互锁功能、过流关断、驱动IC的热监控和故障上报。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压、高电流驱动信号，从而有效驱动模块的稳健型短路控制IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位，以支持最广泛的算法控制。

• UL 认证号 E209204 (UL1557)
• 600 V - 15 A 三相 IGBT 逆变器（包含提供栅极驱动和保护的控制 IC）
• 低功耗、额定短路 IGBT
• HVIC 内置自举二极管
• 低侧 IGBT 的独立发射极开路引脚用于三相电流检测
• 高电平有效接口，适用于 3.3/5 V 逻辑、施密特触发输入
• HVIC 用于实现栅极驱动、欠压和短路电流保护
• 故障输出用于实现欠压和短路电流保护
• 互锁功能，防止短路
• 关断输入
• HVIC 内嵌温度感测功能，用于监控温度
• 已针对 15 kHz 开关频率进行优化
• 绝缘等级： 1500 Vrms/分

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• 运动控制-家用设备/工业电机

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FNB51560TD1	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$10.37

• FJV3101R - 带偏置电阻的 NPN 外延硅晶体管
• FGA6540WDF - 650 V、40 A 场截止沟道 IGBT
• FSBB10CH120D - 1200 V Motion SPM 3 系列
• MM5Z51V - 齐纳二极管
• BZX85C15 - 15V、1W齐纳二极管
• FDD4685 - -40V P沟道PowerTrench MOSFET
• FDC855N - 30V单N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET
• FSA2269 - 具有负摆幅音频能力的低电压双SPDT (0.4Ω)模拟开关
• FQPF3N80C - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 3A, 4.8Ω
• FOD814 - 4引脚DIP光电晶体管输出光耦合器