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    HGTP10N120BN
  • 制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）
  • 类别封装：单路IGBT，TO-220AB
  • 技术参数：IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：HGTP10N120BN
  • 制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）
  • 描述：IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
  • 系列：-
  • IGBT 类型：NPT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：80A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，10A
  • 功率 - 最大值：298W
  • Switching Energy：320J （开）， 800J （关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：100nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：23ns/165ns
  • Test Condition：960V, 10A, 10 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 产品封装：TO-220-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-220AB
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