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NGTD30T120F2WP供应商
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NGTD30T120F2WP
- 制造厂商：Fairchild（仙童半导体，已被ONSEMI安森美收购）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：模具
- 技术参数：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
- （专注销售Fairchild电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
- （您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
NGTD30T120F2WP参数详情：
- 制造商产品型号：NGTD30T120F2WP
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：-
- 电流-集电极脉冲(Icm)：200A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
- 功率-最大值：-
- 开关能量：-
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：-
- 25°C时Td（开/关）值：-
- 测试条件：-
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：模具
- NGTD30T120F2WP的官网价格：有源，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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