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Fairchild产品 - FDMS86202介绍

FDMS86202 - 120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET

FDMS86202是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDMS86202是120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMS86202的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS86202相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDMS86202 - 120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDMS86202 - 产品描述

N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了ShieldedGate技术。该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。

FDMS86202 - 产品特性
  • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
  • 最大 rDS(on)= 7.2 mΩ（VGS = 10 V、ID= 13.5 A
    • ）
  • 最大 rDS(on)= 10.3 mΩ（VGS = 6 V、ID= 11.5 A
    • ）
  • 先进的封装技术和硅技术相结合，实现低 rDS(on)和高效率
  • MSL1 耐用封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS86202 - 产品应用
    以下列出了FDMS86202相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS86202量产-ROHS：截至2013年3月$1.378
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