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Fairchild产品 - 2N7000介绍

2N7000 - N沟道增强模型场效应晶体管

2N7000是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，2N7000是N沟道增强模型场效应晶体管，本站介绍了2N7000的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与2N7000相关的Fairchild元器件型号供参考。

2N7000 - N沟道增强模型场效应晶体管 - MOSFET - FET - 仙童半导体

2N7000 - 产品描述

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。它们可用于大部分需要高达400mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流。这些产品特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器）以及其它开关应用。

2N7000 - 产品特性
  • 高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)。
  • 电压控制的小型信号开关。
  • 坚固而可靠。
  • 高饱和电流能力。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • 2N7000 - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了2N7000相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    2N7000量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.05
    2N7000_D74Z量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.05
    2N7000_D75Z量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.05
    2N7000_D26Z量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.05
    9GA85_2N7000量产（特殊订单）-ROHS不适用
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