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Fairchild产品 - FDB86563_F085介绍

FDB86563_F085 - 60 V、110 A、1.6 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench

FDB86563_F085是Fairchild仙童半导体公司的一款车用N沟道MOSFET产品，FDB86563_F085是60 V、110 A、1.6 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench，本站介绍了FDB86563_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDB86563_F085相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDB86563_F085 - 60 V、110 A、1.6 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - 仙童半导体

FDB86563_F085 - 产品描述
FDB86563_F085 - 产品特性
  • 典型 RDS(on) = 1.6 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A
    • ）
  • 典型 Qg(tot) = 126 nC（VGS = 10 V、ID = 80 A
    • ）
  • UIS 能力
  • 符合RoHS标准
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDB86563_F085 - 产品应用
    以下列出了FDB86563_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDB86563_F085量产-ROHS：截至2012年12月不适用
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