这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。这些器件特别适合笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路中的低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。

• N沟道、3.9 A、30V
• RDS(ON) = 0.065Ω @ VGS = -10 V
• RDS(ON) = 0.095 Ω @ VGS = 4.5V
• P沟道、-3.5 A、-30V
• RDS(ON) = 0.085Ω @ VGS = -10 V
• RDS(ON) = 0.190 Ω @ VGS = -4.5V
• 高密度设计可实现极低的RDS(ON)
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
• 表面贴装封装中的双（N和P沟道）MOSFET

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
SI4532DY	量产-ROHS：截至2015年1月	$1.25

• FDD8444 - 40V N沟道PowerTrench MOSFET
• FDMS3660S - 30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench功率级
• 2N3700 - NPN 通用放大器。
• BSP50 - NPN达林顿晶体管
• FSQ0465RS - 支持准谐振运行模式的 650 V 集成电源开关，用于 48 W 离线反激式转换器
• FCPF1300N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET
• LM7806 - 三端1A正压稳压器
• FGPF15N60UNDF - 600V，15A，短路额定IGBT
• FDG6301N_F085 - 25 V、0.22 A、2.6 Ω、SC-70-6、逻辑电平双 N 沟道平面型
• FSBF10CH60BT - Motion SPM 3 系列