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SI4532DY技术文档下载：
SI4532DY - 双N＆P沟道增强模式场效应晶体管
SI4532DY是Fairchild公司的一款MOSFET产品，SI4532DY是双N＆P沟道增强模式场效应晶体管，本站介绍了SI4532DY的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与SI4532DY相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
SI4532DY - 双N＆P沟道增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
SI4532DY - 产品描述
这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。这些器件特别适合笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路中的低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。
SI4532DY - 产品特性
- N沟道、3.9 A、30V
- RDS(ON) = 0.065Ω @ VGS = -10 V
- RDS(ON) = 0.095 Ω @ VGS = 4.5V
- P沟道、-3.5 A、-30V
- RDS(ON) = 0.085Ω @ VGS = -10 V
- RDS(ON) = 0.190 Ω @ VGS = -4.5V
- 高密度设计可实现极低的RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
- 表面贴装封装中的双（N和P沟道）MOSFET
SI4532DY - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了SI4532DY相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| SI4532DY | 量产-ROHS：截至2015年1月 | $1.25 |
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