VHCT08A是采用硅栅极CMOS技术制造的先进的高速CMOS2输入“与”门。它实现了与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行，同时保持了CMOS低功耗。内部电路由4个级组成（包括缓冲输出），可提供高抗扰度和稳定输出。保护电路确保不管电源电压如何，0V至7V可施加到输入引脚，输出引脚VCC=0V。这些电路可防止器件由于电源和输入/输出电压不匹配而受损。此器件可用于连接5V至3V系统和两个电源系统（例如备用电池）。

• 高速： TA = 25°C时，tPD = 5.0 ns（典型值）
• 高抗噪能力： VIH = 2.0V，VIL = 0.8V
• 所有输入和输出上都提供掉电保护
• 低噪声： VOLP = 0.8V（最大值）
• 低功耗： TA = 25°C时，ICC = 2 μA（最大值）
• 引脚和功能与74HCT08兼容

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
74VHCT08AMX	量产-ROHS：截至2015年10月	$0.139
74VHCT08AMTCX	量产-ROHS：截至2011年6月	$0.0878
74VHCT08AM	量产-ROHS：截至2015年9月	$0.139

• 1N4733A - 5.1V、1W齐纳二极管
• FDC8878 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• MOCD217M - 8 引脚 SOIC 双沟道光电晶体管输出光电耦合器
• RHRG30120 - 30 A、1200 V 超高速二极管
• FQPF85N06 - N 沟道 QFET MOSFET 60V, 53A, 10mΩ
• 74VHC125 - 四路缓冲器（带3态输出）
• FDPC8016S - PowerTrench 功率级 25V 非对称双 N 沟道 MOSFET
• FDN335N - N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET
• FQP3N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V，3A，3.4Ω
• FSBH0F70A_F116 - 用于 8 W 离线反激式转换器的 700 V 集成电源开关，100 kHz，提供通电/欠压保护