该器件在双封装中包括两个专用N沟道MOSFET。该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制SyncFETTM(Q1)和同步MOSFET(Q2)设计用于提供最佳电源效率。

Q1：N 沟道
• 最大值 rDS(on) = 3.8 mΩ（VGS = 10 V, ID = 20 A
）
• 最大值 rDS(on) = 4.7 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 18 A
）Q2：N 沟道
• 最大值 rDS(on) = 1.4 mΩ（VGS = 10 V, ID = 35 A
）
• 最大值 rDS(on) = 1.7 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 32 A
）
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
• MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
• 符合 RoHS 标准

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDPC8016S	量产-ROHS：截至2013年5月	$1.42

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