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FCP190N60E技术文档下载：
FCP190N60E - N 沟道 SuperFETII Easy-Drive MOSFET 600 V、20.6A、190mΩ
FCP190N60E是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FCP190N60E是N 沟道 SuperFETII Easy-Drive MOSFET 600 V、20.6A、190mΩ，本站介绍了FCP190N60E的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCP190N60E相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FCP190N60E - N 沟道 SuperFETII Easy-Drive MOSFET 600 V、20.6A、190mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FCP190N60E - 产品描述
SuperFETIIMOSFET是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFETIIMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。
FCP190N60E - 产品特性
- 650V @TJ = 150°C
- 最大值 RDS(on) = 190mΩ
- 超低栅极电荷（典型值 Qg = 63nC )
- 低有效输出电容（典型值 Coss.eff = 178pF )
- 100% 经过雪崩击穿测试
FCP190N60E - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FCP190N60E相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FCP190N60E | 量产-ROHS：截至2015年7月 | $2.06 |
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