FQA28N50 - N 沟道 QFET MOSFET 500 V，28.4 A，160 mΩ

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因素校正和半桥电子灯整流器。

• 28.4 A、500 V、RDS(on) = 160 mΩ（最大值）（ VGS = 10 V、ID = 14.2 A）
• 低栅极电荷（典型值 110 nC)
• 低 Crss（典型值 60 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

• FCPF190N60E - N 沟道 SuperFETII Easy-Drive MOSFET 600 V、20.6A、190mΩ
• SGH10N60RUFD - 600V，10A，短路额定 IGBT
• FDP027N08B - N 沟道 PowerTrench MOSFET 80V, 223A, 2.7mΩ
• FGB5N60UNDF - 600V，5A，短路定额IGBT
• FJB3307D - 高压快速开关NPN功率晶体管
• HUF76413DK_F085 - 60 V、5.1 A、41 mΩ、SO-8、逻辑电平双通道 N 沟道 PowerTrench
• 74VHC240 - 八路缓冲器/线路驱动器（带3态输出）
• FAN3224C - CMOS 输入、双通道同相输出、5 A 峰值灌电流、5 A 源电流低端栅极驱动器
• FSQ0270RNA - 频率为 100 kHz 的 700 V 集成电源开关，用于 16 W 离线反激式转换器
• FDD6670A - 30V N沟道逻辑电平PowerTrench MOSFET