HUF76413DK_F085 - 60 V、5.1 A、41 mΩ、SO-8、逻辑电平双通道 N 沟道 PowerTrench

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。

• 150°C 最大结温
• UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
• 超低通态电阻rDS(ON) = 0.049Ω, VGS = 10V
• 超低通态电阻rDS(ON) = 0.056Ω, VGS = 5V
• 符合 AEC Q101 标准
• 符合 RoHS 标准

• 人体电子
• 传动系
• 便携导航
• 信息娱乐
• 其他
• 其他车用
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 车辆安全系统

• 74LVT245 - 带3态输入/输出的低电压八通道双向收发器
• FSA1256 - Low R Low Voltage Dual-SPST Analog Switch with Low I A Option
• 74LCX16374 - 低压16位D型触发器（5V容许输入和输出电压）
• FCB20N60_F085 - 600 V、20 A、173 mΩ、D2PAKN 沟道 SuperFET
• FGP20N60UFD - 600V，20A，场截止 IGBT
• KA78L09A - 三端0.1A正压稳压器
• BC847BS - NPN多芯片通用放大器
• FAN5345 - 具有单线数字接口的串联升压型 LED 驱动器
• FDD86567_F085 - 60 V、100 A、2.6 mΩ、DPAKN 沟道 PowerTrench
• FDMA1027P - -20V双P沟道PowerTrench MOSFET