UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFETFRFETMOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其trr小于100nsec且反向dv/dt抗扰度为15V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，它在MOSFET体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

• RDS(on) = 140mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 14A
• 低栅极电荷（典型值 80nC）
• 低 Crss（典型值 38pF）
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 处理能力
• 符合 RoHS 标准

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDA28N50F	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$3.43

• FNB41060 - Motion SPM 45 系列
• FSQ0270RNA - 频率为 100 kHz 的 700 V 集成电源开关，用于 16 W 离线反激式转换器
• PN100A - NPN通用放大器
• FQPF2N70 - N 沟道 QFET MOSFET 700V, 2.0A, 6.3Ω
• FDPF4N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ω
• SMBJ18A - 600W瞬态电压抑制二极管
• FDI150N10 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 57A, 16mΩ
• 74VHC245 - 带 3 态输出的八通道双向收发器
• FQPF10N50CF - N 沟道 QFET FRFET MOSFET 500V, 10A, 610mΩ
• MB10S - 0.5A整流桥