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FDB14N30 - N 沟道 UniFET MOSFET 300V，14A，290mΩ
FDB14N30是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDB14N30是N 沟道 UniFET MOSFET 300V，14A，290mΩ，本站介绍了FDB14N30的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDB14N30相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDB14N30 - N 沟道 UniFET MOSFET 300V，14A，290mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDB14N30 - 产品描述
UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及照明设备用镇流器。
FDB14N30 - 产品特性
- RDS(on) = 290mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 7A
- 低栅极电荷（典型值 18nC）
- 低 Crss（典型值 17pF）
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FDB14N30 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDB14N30相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDB14N30TM | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.8568 |
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