此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。

比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。

结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

已针对低栅极电荷、低rDS(on)和高速开关进行了优化。

• 60 A，30 V
• RDS(ON) = 9 mΩ @ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 4.5 V
• 在高温下指定的临界DC电气参数
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
• 175°C最高结温额定值

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDB7030BL	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.89

• KSH32C - PNP外延硅晶体管
• BUT11AF - NPN芯片晶体管
• FDS4559 - 60V互补PowerTrench MOSFET
• FDS8880 - 30V、11.6A、10mΩ、N沟道PowerTrenchMOSFET
• FDMS86102LZ - 100V N沟道Power Trench MOSFET
• FGH60N60SFDTU - 600V、60A 场截止 IGBT
• FDMA507PZ - -20V单P沟道PowerTrench MOSFET
• HCPL0731 - 8引脚SOIC双通道低输入电流高增益分离式达灵顿输出光耦合器
• S1JFP - 1.2 A、600 V 表面贴装整流器
• FL7732 - 单级PFC初级端离线LED驱动器