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Fairchild产品 - FDB8870_F085介绍

FDB8870_F085 - 30 V、160 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench

FDB8870_F085是Fairchild仙童半导体公司的一款车用N沟道MOSFET产品，FDB8870_F085是30 V、160 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench，本站介绍了FDB8870_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDB8870_F085相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDB8870_F085 - 30 V、160 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - 仙童半导体

FDB8870_F085 - 产品描述

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷、低rDS(on)和高速开关进行了优化。

FDB8870_F085 - 产品特性
  • rDS(ON) = 3.9mΩ, VGS = 10V, ID = 35A
  • rDS(ON) = 4.4mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35A
  • 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(ON)
  • 低栅极电荷
  • 高功率和高电流处理能力
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDB8870_F085 - 产品应用

    • 人体电子
    • 传动系
    • 便携导航
    • 信息娱乐
    • 其他
    • 其他车用
    • 安全和控制
    • 舒适与便捷
    • 车辆安全系统

    以下列出了FDB8870_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDB8870_F085量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.9458
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