双N&P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。此类器件特别适合低压、低电流、开关和电源应用。

• Q1： 0.51A，60V
• RDS(ON) = 2 Ω @ VGS = 10V
• RDS(on) = 4 Ω @ VGS = -4.5 V
• Q2： -0.34A，60V
• RDS(on) = 5Ω @ VGS = -10V
• RDS(on) = 7.5 Ω @ VGS = -4.5 V
• 高饱和电流
• 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
• 专有SuperSOTTM-6封装设计采用铜引脚架构，以获得出色的热性能和电气性能

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NDC7001C	量产-ROHS：截至2011年7月	$0.54

• FDH300A - 高电导、低泄漏二极管
• FQD2N100 - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、1.6 A、9 Ω
• LMV321 - General-Purpose, Low-Cost, RRO Amplifier
• FDMS8320LDC - N 沟道 Dual Cool 56 Power Trench MOSFET
• ISL9V3040P3 - 400 V、17 A、1.58 V、300 mJ、TO-220EcoSPARK I、N 沟道点火 IGBT
• FGA3060ADF - 600 V、30 A 场截止沟道 IGBT
• KSH200 - NPN外延硅晶体管
• FSA1156 - 低 R 低压 SPST 模拟开关
• FDS3692 - 分立的车用N沟道UltraFET MOSFET，100V，4.5A，0.060 Ohms @ VGS = 10V，SO-8封装
• QSB363 - 超小型塑料硅红外线光电晶体管