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NDC7001C技术文档下载：
NDC7001C - 双N＆P沟道增强模式场效应晶体管
NDC7001C是Fairchild公司的一款MOSFET产品，NDC7001C是双N＆P沟道增强模式场效应晶体管，本站介绍了NDC7001C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与NDC7001C相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
NDC7001C - 双N＆P沟道增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
NDC7001C - 产品描述
双N&P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。此类器件特别适合低压、低电流、开关和电源应用。
NDC7001C - 产品特性
- Q1： 0.51A，60V
- RDS(ON) = 2 Ω @ VGS = 10V
- RDS(on) = 4 Ω @ VGS = -4.5 V
- Q2： -0.34A，60V
- RDS(on) = 5Ω @ VGS = -10V
- RDS(on) = 7.5 Ω @ VGS = -4.5 V
- 高饱和电流
- 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
- 专有SuperSOTTM-6封装设计采用铜引脚架构，以获得出色的热性能和电气性能
NDC7001C - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了NDC7001C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| NDC7001C | 量产-ROHS：截至2011年7月 | $0.54 |
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