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FDBL0630N150 - 150V N 沟道 Power Trench MOSFET
FDBL0630N150是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品,FDBL0630N150是150V N 沟道 Power Trench MOSFET,本站介绍了FDBL0630N150的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDBL0630N150相关的Fairchild元器件型号供参考。
FDBL0630N150 - 150V N 沟道 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体
FDBL0630N150 - 产品描述
FDBL0630N150 - 产品特性
- 典型值 rDS(on) = 5mΩ(VGS = 10V, ID = 80A 时)
- 典型值 Qg(tot) = 70nC(VGS = 10V, ID = 80 时)
- UIS 能力
- 符合 RoHS 标准
FDBL0630N150 - 产品应用
以下列出了FDBL0630N150相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDBL0630N150 | 量产-ROHS:截至2014年11月 | $1.74 |
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