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Fairchild产品 - FDBL0630N150介绍

FDBL0630N150 - 150V N 沟道 Power Trench MOSFET

FDBL0630N150是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品,FDBL0630N150是150V N 沟道 Power Trench MOSFET,本站介绍了FDBL0630N150的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDBL0630N150相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDBL0630N150 - 150V N 沟道 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDBL0630N150 - 产品描述
FDBL0630N150 - 产品特性
  • 典型值 rDS(on) = 5mΩ(VGS = 10V, ID = 80A
  • 时)
  • 典型值 Qg(tot) = 70nC(VGS = 10V, ID = 80
  • 时)
  • UIS 能力
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDBL0630N150 - 产品应用
    以下列出了FDBL0630N150相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDBL0630N150量产-ROHS:截至2014年11月$1.74
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