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    Fairchild产品 - FDBL0630N150介绍
    FDBL0630N150 - 150V N 沟道 Power Trench MOSFET

    FDBL0630N150是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDBL0630N150是150V N 沟道 Power Trench MOSFET，本站介绍了FDBL0630N150的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDBL0630N150相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDBL0630N150 - 150V N 沟道 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDBL0630N150 - 产品描述
    FDBL0630N150 - 产品特性
    • 典型值 rDS(on) = 5mΩ（VGS = 10V, ID = 80A
      • 时）
    • 典型值 Qg(tot) = 70nC（VGS = 10V, ID = 80
      • 时）
    • UIS 能力
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDBL0630N150 - 产品应用
    以下列出了FDBL0630N150相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDBL0630N150量产-ROHS：截至2014年11月$1.74
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