此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

• 4.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.055 Ω@ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 0.064 Ω @ VGS = 6 V
• 低栅极电荷（12.5nC，典型值）
• 快速开关速度
• 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(ON)
• SuperSOT-6封装： 小尺寸（比标准 SO-8 小 72%）；薄型（1 mm 厚）

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDC5612	量产-ROHS：截至2011年7月	$0.88

• FGA6560WDF - 650 V、60 A 场截止沟道 IGBT
• NDS9945 - 双N沟道增强模式场效应晶体管
• MMBZ5254B - 27V 350mW 5%齐纳
• MBRS340 - 3.0肖特基功率整流器
• FDS6612A - 30V单N沟道，逻辑电平，Power Trench MOSFET
• HUF75631S3S - 100 V、33 A、40 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET
• LM431B - 可调式/2.5V、1%容差分流稳压器
• FAB2210 - 具有G类耳机和可实现动态范围压缩的3.3W单声道D类扬声器的音频子系统
• FDMS8018 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• FAN2500 - CMOS 低压降稳压器