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Fairchild产品 - FDC606P介绍

FDC606P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET

FDC606P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDC606P是P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDC606P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC606P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDC606P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDC606P - 产品描述

此P沟道1.8V额定MOSFET采用飞兆的低电压PowerTrench工艺。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

FDC606P - 产品特性
  • -6 A，-12V
  • RDS(on) = 26 mΩ@ VGS = -4.5 V
  • RDS(on) = 35 mΩ@ VGS = -2.5 V
  • RDS(on) = 53 mΩ@ VGS = -1.8 V
  • 快速开关速度
  • 高功率和高电流处理能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDC606P - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDC606P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDC606P量产-ROHS：截至2011年7月$0.435
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