这些双N和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件专为低压应用而设计，旨在作为负载开关应用中双极性数字晶体管的替代品。由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。

• N-Ch 25 V，0.22 A，RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V。
• P-Ch 25 V，-0.12 A，RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V。
• 非常低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行。 VGS(th) < 1.5 V。
• 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
• 替代NPN & PNP数字晶体管。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDC6320C	量产-ROHS：截至2011年7月	$0.45

• FDI9406_F085 - 40 V、110 A、1.7 mΩ、TO-262N 沟道 PowerTrench
• FDMC8026S - 30V N沟道PowerTrench SyncFET
• KST5551 - NPN外延硅晶体管
• FDB8860_F085 - 30 V、80 A、1.9 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench
• KA7553A - 高达 600 kHz 的 PWM 控制器可编程频率
• MOC3022M - 6引脚DIP 400V任意相位三端双向可控硅开关驱动器输出光电耦合器
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• FYPF1010DN - 肖特基势垒整流器