此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。

这些器件非常适合负载开关、电源管理、电池充电电路和DC/DC转换等电池电源应用。

• 最大值 rDS(ON)=43 mΩ，条件是 VGS=-4.5 V、ID=-4.5 A
• 最大值 rDS(ON)=68 mΩ，条件是 VGS=-2.5 V、ID=-3.8 A
• 低栅极电荷（典型值8nC）。
• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
• SuperSOT -6 封装：小尺寸（比标准 SO¨C8 小 72%）超薄（1 mm 厚）。
• 符合 RoHS 标准
• 采用绿色封装材料生产。
• 无卤素

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDC638APZ	量产-ROHS：截至2011年7月	$0.139

• FDS4141_F085 - -40 V、-10.5 A、13 mΩ、SO-8P 沟道 PowerTrench
• 1V5KE24CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
• SG6859TZ - 用于反激式转换器的 6 引脚绿色模式 PWM 控制器，可编程频率为 50 KHz ~ 80 KHz
• FYD0504SA - 肖特基势垒整流器
• BD135 - NPN外延硅晶体管
• FGA20S120M - 1200V，20A，短路阳极 IGBT
• MMSZ5252B - 24V、0.5W齐纳二极管
• MMBTA13 - NPN达林顿晶体管
• MC7805E - 三端1A正压稳压器
• FSV15150V - 15 A、150 V 超低 VF 肖特基整流器