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FDC653N技术文档下载：
FDC653N - N沟道增强模型场效应晶体管
FDC653N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDC653N是N沟道增强模型场效应晶体管，本站介绍了FDC653N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC653N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDC653N - N沟道增强模型场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDC653N - 产品描述
这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMICA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。
FDC653N - 产品特性
- 5 A，30 V
- RDS(ON) = 0.035 Ω @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 0.055 Ω @ VGS = 4.5 V
- 专有SuperSOTTM-6封装设计采用铜引脚架构，以获得出色的热性能和电气性能
- 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通阻抗和最大DC电流能力
FDC653N - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDC653N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDC653N | 量产-ROHS：截至2011年7月 | $0.91 |
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