这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMICA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。

• 5 A，30 V
• RDS(ON) = 0.035 Ω @ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 0.055 Ω @ VGS = 4.5 V
• 专有SuperSOTTM-6封装设计采用铜引脚架构，以获得出色的热性能和电气性能
• 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)
• 出色的导通阻抗和最大DC电流能力

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDC653N	量产-ROHS：截至2011年7月	$0.91

• FFP08H60S - 8 A、600 V 超高速 II 代二极管
• FSB560 - NPN低饱和晶体管
• RHRG3060 - 30 A、600 V 超高速二极管
• FQP65N06 - N 沟道 QFET MOSFET 60V, 65A, 16mΩ
• KSC2328A - NPN 外延硅晶体管
• FCB20N60TM - N 沟道 SuperFET MOSFET 600V, 20A, 190mΩ
• 1N4741A - 11V、1W齐纳二极管
• FQP47P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-47A，26mΩ
• KSB1015 - PNP外延硅晶体管
• FMS6646 - 6通道、SD /全HD(1080p)视频滤波器驱动