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Fairchild产品 - FDC653N介绍

FDC653N - N沟道增强模型场效应晶体管

FDC653N是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDC653N是N沟道增强模型场效应晶体管，本站介绍了FDC653N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC653N相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDC653N - N沟道增强模型场效应晶体管 - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDC653N - 产品描述

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMICA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。

FDC653N - 产品特性
  • 5 A，30 V
  • RDS(ON) = 0.035 Ω @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 0.055 Ω @ VGS = 4.5 V
  • 专有SuperSOTTM-6封装设计采用铜引脚架构，以获得出色的热性能和电气性能
  • 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)
  • 出色的导通阻抗和最大DC电流能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDC653N - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDC653N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDC653N量产-ROHS：截至2011年7月$0.91
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