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FDC654P技术文档下载：
FDC654P - P沟道增强模式场效应晶体管
FDC654P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDC654P是P沟道增强模式场效应晶体管，本站介绍了FDC654P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC654P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDC654P - P沟道增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDC654P - 产品描述
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆高级PowerTrench工艺生产。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
FDC654P - 产品特性
- -3.6 A，-30 V
- RDS(ON) = 75 mΩ @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 125 mΩ @ VGS = -4.5 V
- 低栅极电荷（6.2nC，典型值）
- 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
FDC654P - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDC654P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDC654P | 量产-ROHS：截至2011年7月 | $0.58 |
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