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Fairchild产品 - FDC654P介绍

FDC654P - P沟道增强模式场效应晶体管

FDC654P是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDC654P是P沟道增强模式场效应晶体管，本站介绍了FDC654P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC654P相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDC654P - P沟道增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDC654P - 产品描述

此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆高级PowerTrench工艺生产。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

FDC654P - 产品特性
  • -3.6 A，-30 V
  • RDS(ON) = 75 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 125 mΩ @ VGS = -4.5 V
  • 低栅极电荷（6.2nC，典型值）
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDC654P - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDC654P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDC654P量产-ROHS：截至2011年7月$0.58
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